内存电路详解
摘要:SDRAM内存使用3.3V供电，DDR内存使用2.5V供电。使用SDRAM内存的主板，常见的都是直接由ATX电源供电，只有少数高档主板上才采用独立供电。如图5-1所示，用万用表测量电源插座的第1脚与SDRAM内存插槽3.3V电源输入脚，它们之间是直通的。而使用DDR内存的主板，都设计有独立的内存供电电路。内存供电电路工作原理内存供电电路人多采用集成运算放大器驱动场效应管的方式，其供电原理如图5-2所示，内存供电实际电路如图5-3所示。 图5-2内存供电电路的原理是这样的：从A点取得2.5V的基准电压进入到运算放大器的同相输入端IN+，运算放大器将IN+与IN-的电压相比较，如果IN+的电压大于IN-的电压，那么OUT的电压上升，OUT的电压上升使得Q1场效应管进一步导通，漏极（D）与源极（S）之间的管压降下降，使得B点的电压上升。通过反馈，IN-的电压也上升，直到IN+=IN-，也就是IN+=B。这个过程可以简单地描述为：（IN+>IN-）→（OUT↑）→（DS↓）→（B↑）→（IN-↑），直到IN+=IN-。同理，当IN+<IN-时，它的稳压过程是这样的：（IN+<IN-）→（OUT↓）→（DS↑）→（B↓）→（IN-↓），直到IN+=IN-。这个电路通过反馈比较，间接地控制B点的电压与基准电压相等，因此有时也称运算放大器为比较放大器。要使B点的电压稳定，必须保证A点的电压稳定，也就是要求基准电压要稳定。在图5-2的电路中，根据串联电路分压的原理，电阻两端的电压与其阻值的大小成正比，可以算出A点对地的电压为：3.3V×（3.24K/（IK+3.24K
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本文档由 匿名用户 于 2022-09-02 23:20:21上传分享
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