用白光干涉测量法描述化学机械抛光面

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摘要:中图仪器www.chotest.com用白光干涉测量法描述化学机械抛光面化学机械抛光（CMP）在半导体工业内部得到了广泛的应用，化学机械抛光（CMP）加工处理的质量不仅要通过最终的表面平面度，而且也要通过抛光时人为造成缺陷的程度来评价，这些人为造成的缺陷包括：1）碟形凹陷和腐蚀的数量；2）线高变化的均匀性；3）缺陷、粒子的数量和残余物的总量。例如，碟形腐蚀的平面级别过高会导致在光刻成像的时候随焦距而决定的一个空间，因此，在高需求量中，测量工具能够刻画这些人为造成的缺陷特征。在这里，我们介绍一种可供选择的基于白光干涉测量（WLI）原理之上的非接触光学测量方法，同样，如雷达（电波探测器）或垂直扫描干涉测量（法）被看作是一致的。白光干涉测量在光学领域中成为一种标准技术，比如拉模孔光洁度光学检查仪，干涉显微镜内部，照明光束被分离成一个参考面和一个测试波阵面，这些波阵面分别在参考面和测试面的远方光束反射后重组产生了一个干涉图，为了随后的分析一个被数字化表述的干涉图被送到计算机，完整数据的获得组成了曾被数字化后测试和参考波阵面之间光程差一样的规律顺序按线性变化的干涉图，图1示出了白光干涉测量法通常所用的典型的干涉显微镜。在白光照明下，来自干涉图顺序记录的每一个象素的强度分布图（或干涉信号）立即被建立起来，需要在象素下考虑，当测试和参考波阵面之间的光程差接近零时，可获得一个最大的干涉信号的对比，对比顶点光程差的偏移量，光程差OPD=0位置时是一个常量，这个常量取决于表面材料的特性，当光程差逐渐增大而信号逐渐丢失时信号对比度迅速地下降，照明的长度与光程差的区域比较一致，

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